抛光液是
CMP
的关键要素之一
,
抛光液的性能直接影响抛光后表面的质量。抛光液一般
由**细固体粒子研磨剂
(
如纳米
SiO2
、
A12O3
粒子等
)
、表面活性剂、稳定剂、氧化剂
等组成
,
固体粒子提供研磨作用
,
化学氧化剂提供腐蚀溶解作用。抛光液的化学成分及浓
度、磨粒的种类、大小、形状及浓度、抛光液的粘度、
pH
值、流速、流动途径对
CM
过程中的材料去除速度都有影响。目前
CMP
的抛光液通常使用球形纳米级颗粒来加速
切除和优化抛光质量
,
如胶体
SiO2
粒子
,钥匙扣圆盘抛光机,
改变了抛光液的流变性能
,
可以用微极性来表征
这类流体的流变性能。张朝辉等
[2]
给出了考虑微极性效应的
CMP
运动方程
,
并进行了
数值求解
,
数值模拟结果表明
,
微极性将提高抛光液的等效粘度从而在一定程度上提高其
承载能力
,
加速材料去除
,
这在低节距或低转速下尤为明显
,
体现出尺寸依赖性。
Lei[3,圆盘抛光机手镯, 4]
等系统研究了纳米
SiO2
抛光液对镍磷敷镀的硬盘基片的化学机械抛光性能
,
发现抛光
液的抛光性能与抛光液中纳米
SiO2
粒子的粒径及浓度、氧化剂的用量、抛光液的
pH
值、抛光液的流量等均有关
,
适宜的抛光液组成为
:
粒径
30nm
和浓度
5% ~6%
、氧化
剂的用量
1% ~2%
、抛光液的
pH
值
1. 8
、流量不小于
300mL/min,圆盘抛光机,
但是过大的流量对
抛光性能没有进一步提高
,圆盘抛光机水壶盖,
只会增加成本。朱永华
[5]
等采用纳米
SiO2
作为抛光磨料在
不同抛光液条件下
(pH
值、表面活性剂、润滑剂等
)
对玻璃基片
CMP
去除速率和表面质
量的变化规律进行了研究
,
并利用原子力显微镜和光学显微镜观察了抛光表面的微观形
貌。张建新等
[6]
以
LB2Mer
模型为理论指导对恒液面聚合生长法制备大粒径、低分散
度硅溶胶研磨料的粒径增长阶段进行了机理分析
,
制得了符合高质量、率
CMP
**
的大粒径
(
平均粒径为
112nm)
、低分散度
(
接近于
1. 00)
硅溶胶研磨料
超声波模具抛光机的性能
1.可完成从粗整形到镜面的全部抛光过程,加工粗度:2.不受工作复杂,外形,材料硬度之限制。
3.模具表面皮纹处理,粗细可无级调节。
4.工具取材广泛,用户可自制。
5.能合用于非专业职员的操纵。
6.抛光功效高,比手工抛光高十倍以上。
7.频率自动跟踪技术能时刻保证工具处于较佳谐振工作状态。
超声波模具抛光机产品各参数的说明:
1、可抛光材料:各种金属、玻璃、玉石、玛瑙等。
2、合用范围:各种模具(包括硬质合金模具)的复杂型腔、窄槽狭缝、盲孔等粗拙表面至镜面的整形和抛光。
3、加工后表面粗拙度:4、研磨材料:金刚石锉刀、纤维油石、人造金刚石研磨膏和钻石研磨膏
5、放电介质:煤油或水
6、声波频率:26-35KHz
7、电火花高电平时间:火花时0.8μs-15μs;花纹和强化时1-99μs
8、工作电压:单相220V ±15% 50Hz 功耗:200W
9、控制器尺寸:340×185×140 mm 重量:6Kg